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NTMD3P03R2中文资料

NTMD3P03R2图片

NTMD3P03R2外观图

  • 大小：66.64KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：- 3.05 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms
  • 配置：Dual Dual Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：35 ns, 45 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2 W
  • 上升时间：42 ns, 16 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：32 ns, 45 ns

NTMD3P03R2供应商

更新时间:2022-12-31 16:49:08
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